【摘 要】
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本论文通过MOCVD生长手段,通过一系列实际的生长和测试实验,在蓝宝石衬底上异质外延了高Al组分的AlxGa1-xN外延层,并且针对多种缓冲层技术下的成核层生长、脉冲缓冲层生长和
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本论文通过MOCVD生长手段,通过一系列实际的生长和测试实验,在蓝宝石衬底上异质外延了高Al组分的AlxGa1-xN外延层,并且针对多种缓冲层技术下的成核层生长、脉冲缓冲层生长和超晶格缓冲层生长工艺,通过材料生长和材料表征两方面,研究了关键层结构中的关键工艺参数对AlxGa1-xN外延材料质量的影响,对关键的工艺参数进行了一系列的优化试验,制备出了高质量的AlN外延材料和高Al组份AlGaN外延材料。对不同Al组分含量的高Al组分AlxGa1-xN外延材料样品,采用XRD对其进行了结晶质量和Al组份的表征分析,测定了实际样品具体的Al组分含量,研究了不同Al组分含量的AlxGa1-xN外延层在实际的螺位错密度、刃位错密度和晶格常数方面的差异。
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