二维（2D）材料被《科学美国人》在2016年评为十大新兴科技之一。这个材料体系中的每一种材料都拥有原子级的厚度和奇异的光电特质。它们主要包括石墨烯,六角氮化硼,过渡金属硫族化合物和黑磷等。其中,单层半导体过渡金属硫族化合物（TMD）的直接带隙往往位于从可见到近红外光区,并且与光有强烈的相互作用。由这些原子级厚度的二维材料构成的范德瓦尔斯（vd W）异质结,因其特别适合纳米尺度柔性电子和光电子学器件的应用,近年来倍受关注,并有望改变整个半导体科技的格局。在这些柔性材料的实际应用中,不可避免地会因为被弯曲而引入应力。研究在不同应力下2D-TMD及其异质结构的载流子的动力学过程受到了科研工作者们的重视。通过已经报道的研究表明,2D-TMD的机械应变会改变材料的晶格常数,导致晶格对称性的降低,同时电子能带结构也会发生显著变化。因此,应变调控成为了调节2D-TMD电子和光学特性的有力手段。本文运用超快光谱学技术对化学气相合成法（CVD）生长,并转移在聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基底上的单层WSe2薄膜和WSe2/MoS2异质结在不同拉伸应力作用下的载流子动力学行为进行研究。主要内容如下:（1）研究了单层WSe2中载流子动力学过程随应力的演化过程。除了讨论激子载流子行为,我们探测到纯电子的动力学行为,并且还找到了单层WSe2的载流子动力学行为中含有间接带隙动力学过程的证据。在A激子的动力学行为中,我们探测到明显的载流子布居增加引起的动力学信号,并且它的时间常数与热激子在KC谷内冷却弛豫的时间接近。通过对激子动力学过程的分析,我们认为这种载流子布居的增加来自KC谷中热电子冷却弛豫过程中伴随的从KC谷到TC谷的谷间电荷转移。后续的热激子弛豫动力学行为表现出与光学声子和声学声子耦合的差异。对应B激子动力学行为的探测反映了KC谷中纯热电子的冷却弛豫过程。通过其弛豫寿命与泵浦功率的依赖关系,我们认为热电子与声学声子的相互作用可能在弛豫过程中占主导地位。而其动力学过程的时间常数随拉伸应力的增加而变小,可能表明了电子的驰豫速度加快。（2）研究了特定拉伸应力对WSe2/MoS2异质结载流子动力学过程的影响。我们采用窄带泵浦光选择性激发WSe2A激子跃迁,超宽带光探测MoS2 A激子跃迁。获得WSe2/MoS2异质结中从WSe2到MoS2的电子转移信号。通过提取MoS2 A激子弛豫曲线做拟合分析,可以得到三个动力学过程。分别对应层间电子转移（70fs左右）、亚皮秒（0.5ps）热电子快速冷却（或层间激子的形成）以及无辐射电子-空穴（e-h）复合过程（100ps左右）。研究发现,随着所施加特定拉伸应力的增加,电子转移过程和无辐射电子-空穴复合过程的时间延长。研究表明拉伸应变降低了电子-声子耦合强度,从而抑制了电子转移和非辐射电子-空穴复合动力学过程。同时发现,热电子冷却以及紧密结合的层间激子形成寿命对拉伸应变的增加不敏感,这可能与所施加的拉伸应力导致的电-声子耦合变化有关。