利用脉冲激光沉积法（PLD）成功制备了Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ和Tl2Ba2CaCu2O8两类高温超导外延薄膜，在超导基础研究和超导应用研究两个方面进行了探讨。 第一项工作集中于对物理问题的探讨，对Ca掺杂量0.4≤x≤0.6的Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ薄膜的超导电性和正常态霍尔效应进行了研究，具体有三个方面：1）通过优化实验条件我们首次观察到了STO基片上Pr0.4Ca0.6Ba2Cu3O7-δ薄膜的超导电性，最高Tc约17 K。对于该组份的样品，还研究了不同生长温度和不同基片（LAO、MgO和YSZ）对薄膜表面形貌、外延取向以及临界温度的影响。2）对最佳Ca掺杂样品Pr0.5Ca0.5Ba2Cu3O7-δ，通过变化退火氧压来调节薄膜中的氧含量，研究其对霍尔载流子浓度和霍尔角的影响。3）对不同Ca掺杂量样品的霍尔载流子浓度进行了比较，对霍尔角－温度平方标度关系进行了拟合和对比。发现用双驰豫时间模型拟合得到的直线斜率α和零温截距C均随Pr含量的增加而减少，与安德森磁散射解释不符。 另一项工作瞄准超导材料的应用领域。高温超导薄膜在液氮温度的微波表面电阻RS极小，制成的无源微波器件具有极低的插入损耗和极高的品质因子。高温超导的磁场穿透深度与频率无关，还可用来构造无色散的传输结构，设计出用正常导体难以得到的微波器件。我们对用于微波器件制备的两英吋Tl-2212双面超导薄膜进行了研制，对薄膜生长的最佳工艺进行了探索。实验选择的技术路线是非原位方法，即先利用脉冲激光法制备出不含铊的非晶前驱薄膜，然后在铊化炉中对前驱膜进行铊化后退火处理形成2212相化合物。X射线衍射分析表明薄膜具有良好的c轴取向。对不同条件下获得的薄膜的转变温度、临界电流密度和表面电阻三个指标进行了大量的测试和比较。通过对大量薄膜的SEM表面形貌观察，得到了薄膜表面形貌与RS的基本规律。获得的薄膜转变温度TC均大于100 K，临界电流密度JC大于1×106 A/cm2，表面电阻RS小于0.8 mW，符合制备微波器件的要求。