建立在磁光克尔效应基础上的磁光存储技术兼有磁存储和光存储的优点。蓝光技术和超分辨读出技术是提高磁光存储密度的两个重要手段,为了能进一步提高其存储密度,研究提出将两者的优势相结合,以期制备出具有更高存储密度的蓝光超分辨存储介质,这对于磁光存储技术的发展具有重要的意义。本工作采用直流磁控溅射法制备了Pt₃Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo交换耦合双层薄膜,利用表面磁光克尔效应（SMOKE）系统、振动样品磁强计（VSM）、Kerr谱仪等仪器测试了薄膜的磁及磁光性能,同时研究了双层薄膜的蓝光超分辨交换耦合性能。并对单层膜的制备工艺对性能的影响做了深入的研究。通过制备工艺的调整,得到了平面磁化的Pt₃Co与NdGdFeCo合金薄膜,垂直磁化的TbFeCo非晶合金薄膜。在80W、3.0Pa,基片温度300℃生长10nm条件下制备得到了Pt₃Co合金薄膜,其特性为:T_c=160℃,H_c=100Oe。在60W、0.8Pa室温下生长50nm条件下制备得到了Nd₁₂Gd₂₃(Fe₇₅Co₂₅)₆₅非晶合金薄膜,其特性为:H_c=300Oe,θ_k=0.42°（λ=300nm）,T_comp=90℃的。在60W、1.0Pa室温下生长50nm条件下制备得到了Tb₂₀(Fe₈₅Co₁₅)₈₀非晶合金薄膜,其特性为:H_c =3500Oe, T_comp小于室温、T_c≈250℃的。各薄膜的性能表明,Pt₃Co和NdGdFeCo合金薄膜可以作为蓝光超分辨的读出层,TbFeCo合金薄膜为记录层介质。通过对耦合双层膜中各单层膜工艺的调整,首次在不间断真空的条件下制备了Pt₃Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo双层薄膜。Pt₃Co/Tb₂₀(Fe₈₅Co₁₅)₈₀双层薄膜在160℃时读出层（Pt₃Co）磁化方向由平面变为垂直与记录层方向一致;当Nd₁₂Gd₂₃(Fe₇₅Co₂₅)₆₅/Tb₂₀ (Fe₈₅Co₁₅)₈₀双层薄膜在温度为90℃时,读出层(Nd₁₂Gd₂₃(Fe₇₅Co₂₅)₆₅)磁化方向转变成与记录层方向一致。这两种耦合薄膜的读出层在室温时平面磁化对记录层起到了掩膜的作用,高温时均转变成垂直磁化实现信息由记录层到读出层地复制,实现了中心孔超分辨（CAD-MSR）读出效应。作为读出层的PtCo和NdGdFeCo合金薄膜在短波长时均有强克尔信号,因此,Pt₃Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo双层结构的耦合薄膜可以作为蓝光超分辨磁光存储介质。