20世纪以来,随着光通信日益不断地向高速大容量传输方向发展,空间探测的不断创新,高响应速度,大带宽和高增益接收器件的研制也迅速发展。为了实现这类器件的制造,雪崩光电二极管(APD)应运而生,并成为其中不可或缺的重要组成部分,主要工作原理就是当耗尽区内的电场将载流子加速到能量高于禁带宽度,载流子能够与晶格发生碰撞产生附加的二次载流子。一般结构的APD器件是在PIN结构的基础上增加了雪崩增益区,不仅具备了PIN器件高响应度和快速响应速度的特点,同时其内部的高增益,使得其在微弱光信号的接收方面优于传统的PIN器件。在长波长通信领域,In P基InGaAs探测器在长波长通信窗口波长有很高的响应度,本文正是针对InP基APD器件,主要对吸收,渐变,电荷,倍增区分离式结构的APD器件(SAGCM-APD)进行研究,分析结构参数对器件的影响,在PIN制造工艺参数的基础上,进一步优化结构,实验制备此器件,主要从事的工作如下:1)从最基础的APD器件工作原理介绍,分别阐述几类常见的APD器件结构,然后分析影响光电探测器的几个重要参数。2)对InP基SAGCM-APD的结构参数进行计算模拟,主要分析电场分布,倍增因子的变化,吸收层厚度的模拟,确定SAGCM-APD结构参数。3)优化InP基P型In0.53Ga0.47AsMOCVD外延参数,优化In GaAs的生长得到晶格匹配的外延层。4)制备InP基SAGCM-APD器件,测量到明显的光电流,确定形成雪崩击穿状态。