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锆钛酸铅(Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3,简写为PZT)薄膜是一种极具发展前景的电子功能薄膜,它具有剩余极化大、介电常数大、使用温度范围广等优点,被广泛的应用于非挥发铁电存储器、传感器、微致动器、红外探测器、电光调制器等方面。制备高度致密、表面平整光滑、低漏电特性的PZT薄膜材料,是研制PZT基薄膜器件的重要基础。由于薄膜材料的漏电流特性直接反映出电子功能薄膜材料的电学性能,因此研究PZT薄膜材料漏电特性,是解决PZT薄膜性能提升以及薄膜器件研制的重要技术手段。本论文针对PZT薄膜的漏电行为