【摘 要】
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该文用溶胶-凝胶(Sol-gel)技术,以锆的无机盐(硝酸锆)、醋酸铅、钛酸丁脂为原料,在Pt.TiSiO/Si的基片上制备了Pb(ZrTi)O压电薄膜,得到了0.5μm厚的PZT薄膜.系统地研究了PZT薄
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该文用溶胶-凝胶(Sol-gel)技术,以锆的无机盐(硝酸锆)、醋酸铅、钛酸丁脂为原料,在Pt.TiSiO<,2>/Si的基片上制备了Pb<,1+x>(Zr<,y>Ti<,1-y>)O<,3>压电薄膜,得到了0.5μm厚的PZT薄膜.系统地研究了PZT薄膜的制备工艺、微结构和介电、铁电性能及它们的相关性.采用FTIR和DSC技术分析了有无乙酰丙酮螯合的两种PZT凝胶粉末的热演化过程.使用XRD,AFM及椭偏技术研究了快速热处理与PZT薄膜微结构的关系,制定了合适的热处理制度.比较了不同铅过量的PZT薄膜的微结构,晶粒的形貌,并研究了不同铅含量的PZT薄膜的介电、铁电性.得到在Pb过量10atm﹪时,能得到电性能优异的PZT压电薄膜,Pr、Ec、εr、tanδ分别为32μC/Cm<2>、112kV/cm、410、0.04.
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