SnO<,2>复合半导体纳米粒子的制备及光电性质研究

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该论文重点研究了SnO<,2>与不同硫化物复合纳米粒子的制备及复合对SnO<,2>纳米粒子光吸收和光电转换性质的影响.作者用水热法制得的SnO<,2>纳米粒子作为基体,针对不 同组分粒子的性质,采用不同方法制备出SnO<,2>与不同带隙宽度硫化物(SnS<,2>和CdS)复 合的复合纳米粒子:用离子交换法制备包覆型SnO<,2>/SnS<,2>复合纳米粒子;用离子吸附 再沉淀的方法制备包覆型SnO<,2>/CdS复合纳米粒子.通过对上述包覆型复合粒子的光吸收 和光电转换性质的研究,发现复合粒子的上述性质均明显优于单一组分粒子的性南.通过对不同复合方式形成的复合纳米粒了性质的相比较,发现微观上结合紧密的包覆型结构比亚微观均匀混合的机械混合型样品具有更优越的光吸收及光电转换性能.这说明形成包覆型复合纳米粒子是一种能有效提高半导体纳米粒子光电转换效率的途径.同时作用者也研究了CdS 量不同对SnO<,2>/CdS复合纳米粒子性质的影响,发现部分包覆结构比全部包覆结构更有利 于样品光电效率的提高.据文献报导,与PbS复合可以提高SnO<,2>纳米粒子的光电转换效率,因此作者尝试过用离子吸附一沉淀方法制备PbS与SnO<,2>纳米粒子复合的复合纳米粒子,但是XRD测试的结果表明PbS颗粒较大,没有达到作者预期的纳米复合的目的.
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