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本文采用EB-PVD技术通过直接蒸发SiC靶材在不锈钢基体上制备了不同类型的Si-C纳米涂层。首先通过热力学计算，初步研究了SiC的蒸发行为。其次利用傅立叶变化红外光谱（FT-IR）、拉曼光谱（Raman）、掠入射X射线衍射（GIXA）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针显微分析（EPMA）、X射线光电子能谱（XPS）、纳米压痕（NANOINDENTER）、纳米划痕（NANOSCRATCH）等技术以及宏观粗糙度测试研究了涂层的表面特性、微观组织结构、力学性能以及辐射性能。最后通过单光束比较辐射度量测试系统研究了涂层在120℃（常温）和550℃时从近红外到中红外的光谱法向发射率，利用FT-IR技术测试了涂层经过900℃保温30min热处理后的光谱法向发射率。 热力学计算显示，随着蒸发温度的增加，涂层中SiC的含量在不断增加。但蒸发温度超过3300K以后，SiC的含量几乎不再增加，而是稳定在73％左右。蒸发过程中，SiC靶材可以分成三个区：熔融区，热影响区，不受影响区（原始材料区）。利用GIXA和XPS研究蒸发后的靶材发现，蒸发过程中SiC发生了分解，分解产生的Si元素全部被蒸发，而C元素则有一部分残留在了靶材中并覆盖在熔融区表面；靶材中熔融区的组织结构发生了变化，晶粒长大，并出现了强烈的3C-SiC（311）织构。 Si-C涂层的成分主要是3C-SiC，且3C-SiC的晶粒尺寸非常小甚至只有几个纳米。3C-SiC的TO带和LO带连成一个带，并且出现了非晶碳的吸收带，且其金刚石（D）带和石墨（G）带的强度之比（ID/IG）随沉积温度在0.4上下波动。随着沉积温度的增加，不但涂层的结晶度在增加，同时涂层中3C-SiC（111）织构的程度也在增加。 涂层的表面均匀致密，涂层的微观粗糙度和宏观粗糙度都较小。涂层与基体之间存在一个明显的过度层，随着沉积温度的增加，过度层的厚度在增加。沉积温度超过900℃后，涂层与基体元素之间发生了强烈的互扩散，涂层中金属元素的含量增加，涂层的组织成分发生了明显的变化。涂层中除了C-Si键之外，还含有大量的C-C键，且这些C-C键与DLC中的C-C键十分相似。 不同沉积温度下制备的涂层表现出了超硬特性，尤其是900℃沉积的涂层，其硬度更是超过了50GPa。随着沉积温度的增加，涂层的硬度由于涂层组织成分的变化先增加后减少。但对于900℃沉积的涂层，随着沉积时间的增加，涂层的硬度由于涂层致密性的影响也是先增加后减少。 FT-IR的研究表明随着沉积温度的增加，制备态涂层的发射率出现了波动。沉积温度低于900℃时，发射率平均值在0.5上下波动；沉积温度高于900℃时，发射率平均值在0.4上下波动，而900℃时沉积的涂层的发射率最低。表明涂层的发射率不但和涂层中各化学键的含量有关，还和涂层中这些化学键存在的物理化学状态有关。对于900℃时沉积的涂层，随着沉积时间的增加，涂层的发射率也出现了波动。 经过900℃保温30min的热处理后，所有涂层的发射率得到了很大提高。在2-5μm这个波段，涂层的平均发射率基本上都在0.8以上。随着沉积温度的增加，涂层的平均发射率有降低的趋势。而对于900℃沉积的涂层而言，随着沉积时间的增加，涂层的发射率出现了波动，表明涂层的发射率还受涂层表面的粗糙度影响。 单光束比较辐射度量测试系统对涂层发射率的研究表明，在120℃涂层的光谱法向发射率从近红外到中红外波段逐渐减小，而在中红外波段出现了波动。涂层在低温时的平均发射率相对较低，但在低波段却比较高，尤其是近红外波段。涂层在550℃时的平均发射率与室温时相比略有提高，但在低波段却略有降低，这表明随着环境温度的增加，一方面涂层中自由载流子的浓度增加；另一方面，随着环境温度的增加sp3C在涂层中的掺杂程度也增加导致涂层中不同能级间电子的跃迁加剧。