本论文的研究目的是为新型复合式宽带EMI抑制元件的研制提供理论和实验依据。针对传统铁氧体抑制元件在实际应用中出现的频带窄、高频性能差问题,分别从结构和材料两方面入手提出了解决方案。首先,通过采用复合式结构展宽抑制元件频带。结合实际条件,分别提出低频阻抗复合宽带与高频插损复合宽带模型,并给出了模型的结构与等效电路。在对两模型的等效电路进行验证之后,对复合式元件的性能进行了实际测试,结果表明:低频阻抗复合宽带与高频插损复合宽带模型是合理的,从理论上分析了复合式元件能有效展宽频带,实现宽带功能。其次,通过制备新型材料解决高频性能差的问题。在分析了限制软磁合金高频应用的几个因素及解决对策之后,设计了合理的软磁合金复合材料制备工艺。通过微观形貌观察与复数磁导率测试,对不同制备阶段的样品进行了分析,研究了制备过程对磁性能的影响,优化了材料制备工艺。最终获得的软磁合金复合材料磁导率虚部μ_r″具有“双峰共振”宽带分布频率特征,高磁导率频宽达GHz,在1.2GHz频率处, μ_r″= 7.3 , μr_max″= 14.5。对比实验表明:软磁合金复合材料具有比传统铁氧体材料更优的高频磁性能;由该材料制成的元件在几百MHz以上的插损性能优于传统铁氧体材料抑制元件。此外,本论文还对元件的性能与材料参数的测试原理进行了详尽地分析,完善了磁导率测试“单圈电感模型”的理论推导。针对元件插损性能暂无测量标准的情况,建立了传输线插损测量装置,为材料评价与模型验证提供了条件。