本文采用高分子自洽平均场理论和强相分离理论研究了二维和三维阵列受限体系下AB两嵌段共聚物的自组装行为。在研究中，我们发现了很多新颖的相结构，并把它们合理分类。此外，我们还研究了阵列受限参数对相结构的影响，相结构之间的相互转变，以及相结构的调控等问题。在二维阵列受限空间中，我们研究了两嵌段共聚物在正方形、长方形和三角形阵列柱体间的自组装相行为。研究发现阵列受限的几何参数，阵列周期和柱体尺寸显著地影响嵌段共聚物链的伸展。通过改变阵列周期和柱体尺寸大小，可以改变共聚物链伸展区域的大小，进而实现对相界面排布，层状相的条带数及其取向的调控。除了受限阵列的几何参数，选择性的柱体阵列也可以诱导共聚物链自组装形成新颖的相结构。此外，通过采用相异的阵列周期，长方形和三角形柱体阵列，破坏受限阵列x和y方向的对等性，我们实现了对相结构取向的控制。在三角形阵列柱体间，我们发现了四种新颖的柱状相结构，并测试了它们的光子带隙，发现共聚物相结构改善了原有柱体阵列的光学性能。在三维阵列受限空间中，我们利用自洽平均场的方法研究了对称两嵌段共聚物在充满正方形柱体阵列的平行基板间的自组装行为。在此研究体系中，平行基板和正方形柱体对嵌段共聚物都有微弱的选择性。通过改变薄膜厚度、阵列周期和柱体之间的间距，我们观察到三类相结构：层状结构，柱状结构和双连续相结构。由于柱体在平行方向施加的受限条件，嵌段共聚物形成了八种新颖的垂直层状相结构和八种新颖的垂直层柱状相结构，这些新颖的相结构具有不同形状和排布。此外，我们还观察到几种新颖的双连续相结构，这些双连续相结构是平行层状相和垂直层状相的杂交体。通过比较自由能的办法，我们证实了：在适当的参数处，反对称平行层状相为稳定相结构。我们还通过强相分离理论解释了随着薄膜厚度和柱体间距变化，交替柱状相(交替的十字形、交替的正方形和交替的八边形柱状相结构)与平行层状相之间的相转变。我们的研究表明，利用受限柱体阵列是制备新颖共聚物纳米结构材料的有效手段。