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磁电复合材料是一类通过铁电相和铁磁相之间的耦合作用产生磁电效应的多相多铁性材料。与单相磁电材料相比，磁电复合材料具有磁电系数大，居里温度和奈尔温度高等优点。近年来，由于其在多功能器件中如存储器、传感器、换能器等高技术领域的应用引起人们广泛的研究兴趣。
本文用脉冲激光沉淀系统制备了CuFe2O4/BaTiO3，CuFe2O4/BiFeO3和BiFeO3/NiFe2O4/BiFeO3三个系列样品。分别用X射线衍射仪、铁电测试仪、精密阻抗分析仪、物理性能测试系统对材料的物相、铁电性、介电性和磁性进行了研究。
对于CuFe2O4/BaTiO3系列样品：双层异质结构薄膜样品中的BaTiO3的晶粒尺寸要大于单层BaTiO3薄膜样品的晶粒尺寸，对于沉积顺序不同的异质结构双层薄膜而言，组分BaTiO3的晶粒尺寸差别不大；样品的电流密度随着电压的升高而增大，双层膜的电流密度要小于单层膜，生长顺序影响样品电流密度；频率从100Hz到106Hz，异质结构双层膜的介电常数都随着频率的增加而缓慢减小；异质结构双层膜CuFe2O4/BaTiO3和BaTiO3/CuFe2O4的饱和磁化强度均小于纯的单层CuFe2O4。
对于CuFe2O4/BiFeO3系列样品：在施加最大电压为20V时测得异质结构双层薄膜样品的电滞回线呈矩形状；样品的电流密度随着电压的升高而增大，双层膜的电流密度要小于单层膜，生长顺序影响漏电流性质；异质结构双层薄膜样品的介电常数在频率从100Hz到106Hz这个范围比较稳定；异质结构双层薄膜样品CuFe2O4/BiFeO3和BiFeO3/CuFe2O4的饱和磁化强度均小于纯的单层CuFe2O4。
对于BiFeO3/NiFe2O4/BiFeO3系列样品：三层薄膜样品的饱和极化随着NiFe2O4厚度的增加而减小，该值小于上个实验得到纯的BiFeO3(200nm)单层薄膜样品；三个样品的电流密度在2V以后随着NiFe2O4薄膜厚度的增加而减小，与上个实验纯的200nm单层膜BiFeO3相比，三层膜的电流密度更小，NiFe2O4层越厚电流密度越小；异质结构三层膜的介电常数在频率100Hz到106Hz这个范围比较稳定；异质结构三层膜BiFeO3/NiFe2O4-/BiFeO3的饱和磁化强度均小于纯的单层NiFe2O4，且随着NiFe2O4层厚度的增加而变大，NiFe2O4薄膜厚度的增加对矫顽场的影响不大，但与纯的200nm NiFe2O4样品相比，NiFe2O4的介入使得矫顽场变小。