巨磁阻抗（giant magneto-impedance,GMI）效应具有灵敏度高、反应时间快、敏感元件体积小等优点，从而更符合现代传感器的性能要求,可广泛用于汽车、电子等多种领域。本文主要探讨了非晶薄带的GMI效应及进行退火和表面涂敷薄膜层处理对薄带GMI效应的影响,最后研制了埋入式传感器探头及信号处理电路。主要内容如下：通过在非晶薄带表面涂敷薄膜层（分了施加基片温度与不施加基片温度的情况）的方式，探讨表面粗糙度对薄带GMI效应的影响。研究发现，涂敷CoFe₂O₄薄膜层能减小非晶带表面粗糙度；通过施加基片温度，可有效的改善样品的软磁性能。研究发现最佳制备条件：功率100W，时间60min，溅射气压0.7Pa，基片温度300℃时样品的巨磁阻抗效应最好，最大阻抗比120.5%，而制备态样品为43.68%，提高了近77%。研究了两段式焦耳热退火工艺，得到最佳退火条件：第一段退火电流大小15A/mm2，第二段退火电流大小30A/mm2，每段退火时间均为120s。最佳频率1MHz时最大GMI比值为138.2%。根据PCB-Fluxgate工艺进一步优化，设计出了埋入式的传感器探头。探头主要由多层的聚酰亚胺柔性基板和非晶薄带构成。通过对非对角电压的近似表达式进行数值仿真，分析薄带及线圈尺寸对传感器性能的影响，从而对非对角GMI传感器探头进行优化设计。完成了传感器后期信号处理电路的设计，测试了相关性能参数。