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访古识香
【出 处】
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光明日报
【发表日期】
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2015年08期
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与传统的硅材料相比,氮化镓(GaN)作为宽禁带半导体材料的代表,具有禁带宽度大、饱和电子速度高、介电常数小和击穿电场高等特点。而采用AlGaN/GaN异质结形成的肖特基二极管(SBD)非常适合在高温、高频以及高功率等工作环境下应用,从而在射频和电力电子领域具有非常好的应用前景。常规的高性能AlGaN/GaN肖特基二极管通常采用刻蚀势垒层的方法来实现,但这会造成势垒层表面的损伤,从而影响器件的可靠性
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