【摘 要】
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用BF2+分子离子注入n型硅,由于B的有效注入能量减少,可以得到B的浅注入分布,B分布的沟道效应也明显降低。BF2+注入硅能形成非晶层,在低温（550℃）退火时,注入层以固相外延形式再
【机 构】
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西北电讯工程学院微电子所;西北电讯工程学院微电子所;
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用BF2+分子离子注入n型硅,由于B的有效注入能量减少,可以得到B的浅注入分布,B分布的沟道效应也明显降低。BF2+注入硅能形成非晶层,在低温（550℃）退火时,注入层以固相外延形式再结晶,B原子的激活率可高达85％。次级离子质谱（SIMS）测量表明,退火期间,F的迁移行为与注入靶温、注入剂量和退火温度有密切的关系。再结晶过程中F的外扩散以及残留缺陷对F的捕获,是引起F不规则迁移的主要原因。快速退火的应用,使B的再分布减少,注入损伤消除,同时可获得较低的方块电阻值。BF2+注入结合快速退火制作的P+N二极管具有低的反向漏电流（～1fA/μm2—10V）和较高的反向击穿电压。
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