【摘 要】
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采用多弧离子镀技术在铜/金刚石复合材料表面制备AlN薄膜以提高其表面电绝缘性能,并探讨占空比对AlN膜层组织形貌及性能的影响.结果表明:AlN膜层在(220)晶面择优生长,(002)、
【机 构】
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青岛滨海学院新金属功能材料及先进表面工程山东省高等学校重点实验室,山东 青岛 266555
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采用多弧离子镀技术在铜/金刚石复合材料表面制备AlN薄膜以提高其表面电绝缘性能,并探讨占空比对AlN膜层组织形貌及性能的影响.结果表明:AlN膜层在(220)晶面择优生长,(002)、(101)晶面取向生长.随占空比(20％、40％、60％)增加,AlN膜层表面颗粒趋于均匀细小、致密化,且亮白色颗粒明显减少,但占空比过高时出现大颗粒及亮白色颗粒明显增多现象.Cu/金刚石复合材料表面镀AlN膜层后,热导率略微降低,但其表面电绝缘性得到较大改善.占空比为40％时所得AlN膜层致密均匀、电绝缘性最优.
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