论文部分内容阅读
在电流密度为1136A/cm~2的情况下,考察了直流电场对Al—Cu共晶片间距的影响。实验结果表明,电场使片间距减小。分析表明,这是由以下三个方面的原因引起的:(1)电场使共晶两相中的其中一相在另一相上形核并长大;(2)电场使相转变所需的驱动力减少;(3)电场使层片缺陷可以向片间距减小的方向运动。