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本文用掠入射全反射Ｘ射线衍射，结合常规Ｘ射线衍射，对ＧａＡｓ／ＧａＰ应变层界面进行了研究，给出了界面失配度，薄膜晶胞的畸变和界面驰豫等结构参数，结果表明掠入射衍射是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具。
GaAs／GaP界面的X射线掠入射衍射分析
【摘 要】
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本文用掠入射全反射Ｘ射线衍射，结合常规Ｘ射线衍射，对ＧａＡｓ／ＧａＰ应变层界面进行了研究，给出了界面失配度，薄膜晶胞的畸变和界面驰豫等结构参数，结果表明掠入射衍射是测定半导体薄外延膜界面结构
【机 构】
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中国科学院物理研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年2期
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