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采用脉冲激光沉积（PLD）技术在硅片上合成了AlN薄膜。X射线衍射（XRD）结果证实制备的AlN薄膜具有（002）择优取向的六方纤锌矿晶体结构，并且结晶质量随si衬底温度的提高而改善。电流-电压（I-V）、电容-电压（C—V）、极化曲线结果表明室温生长的AlN薄膜的击穿场强约2．5MV／cm，同时呈现明显的极化现象（类铁电），对应矫顽场强为150kV／cm，剩余极化为0．002C／m^2。晶态AlN存在较强的自发极化，薄膜中可动电荷密度高，据此提出了动态电荷模型，指出较大的AlN薄膜极化回线是由于可动电荷