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基于"固体与分子经验电子理论"(EET),构建了Al-Cu熔体施加脉冲电场与未施加脉冲电场的GP Ⅰ区形成模型,计算了Al-Cu合金熔体及过饱和固溶体的价电子结构参数统计值,在电子结构层次上解释了脉冲电场作用Al-Cu合金熔体后对GP Ⅰ区形成的影响。
电脉冲对Al-Cu合金GPⅠ区影响的价电子结构分析
【摘 要】
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基于"固体与分子经验电子理论"(EET),构建了Al-Cu熔体施加脉冲电场与未施加脉冲电场的GP Ⅰ区形成模型,计算了Al-Cu合金熔体及过饱和固溶体的价电子结构参数统计值,在电子结构层次上解释了脉冲电场作用Al-Cu合金熔体后对GP Ⅰ区形成的影响。
【机 构】
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辽宁工业大学材料科学与工程学院,锦州高等师范专科学校
【出 处】
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特种铸造及有色合金
【发表日期】
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2013年01期
【基金项目】
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辽宁省教育厅重点实验室资助项目;辽宁省教育厅一般资助项目
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