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期刊论文
氮化镓低维材料
氮化镓低维材料
来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hongjiansu
【摘 要】
:
本文综述了本实验室近年来在半导体低维材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.
【作 者】
:
陈小龙
【机 构】
:
中国科学院物理研究所
【出 处】
:
人工晶体学报
【发表日期】
:
2002年3期
【关键词】
:
氮化镓
低维材料
生长动力学
形貌稳定性
半导体材料
low-dimensional GaN materialsgrowth dynamicsmorpholog
【基金项目】
:
国家自然科学基金,中国科学院科研项目
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本文综述了本实验室近年来在半导体低维材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.
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