【摘 要】
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基于大面阵InGaAs基线性背照工作模式APD光敏芯片,采用SMIC 0.35 μm 3.3 VCMOS工艺实现了一款单片集成面阵激光雷达读出电路.电路芯片与APD光敏芯片的每个像元通过In柱互连,
【机 构】
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华东光电集成器件研究所,江苏苏州250100
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基于大面阵InGaAs基线性背照工作模式APD光敏芯片,采用SMIC 0.35 μm 3.3 VCMOS工艺实现了一款单片集成面阵激光雷达读出电路.电路芯片与APD光敏芯片的每个像元通过In柱互连,实现电流脉冲的有效传输与接收.仿真和测试表明,基于可调节共源共栅输入级和自偏置共源放大级的像元级前置放大器实现了等效5 μA@2.5 ns脉宽的电流检测灵敏度;在片上125 MHz主时钟下,基于计数型和压控延迟型的二段式像元级TDC,通过多相位时钟插值技术实现了1 ns的高精度时间分辨率;采用分时供电的工作模式,32×32面阵读出电路芯片功耗节省了65％.
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