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利用As、Ga、GaAs的性质，开发出一种新的GaAs多晶合成方法。开展了Φ130mm合成系统的温度、压力优化实验。采用石墨盖代替BN坩埚盖，开发了100mm新合成石墨系统，通过工艺实验确定加热电流、温度、压力随时间的变化，稳定了Φ100mm无液封GaAs多晶合成工艺。通过大量的实验，逐渐确定了两套无液封GaAs多晶合成的温度压力曲线，固化了坩埚密封结构，掌握了调节GaAs多晶料中化学计量比的方法。