【摘 要】
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采用射频（RF）磁控溅射法在金刚石（111）衬底上沉积LiNbO3（LN）薄膜，借助X射线衍射技术（XRD），研究了外加偏压（0～80V）和衬底温度（200～500℃）等工艺参数对LiNbO3薄膜结构和取向性的影响。实验结果
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采用射频（RF）磁控溅射法在金刚石（111）衬底上沉积LiNbO3（LN）薄膜，借助X射线衍射技术（XRD），研究了外加偏压（0～80V）和衬底温度（200～500℃）等工艺参数对LiNbO3薄膜结构和取向性的影响。实验结果表明，在衬底温度为200℃、外加偏压为～80V的T艺条件下，LiNbO3的（006）衍射峰强度超过LN的（012）衍射峰强度，在金刚石（111）衬底上获得较高c轴取向的LN薄膜。并且对C轴择优取向LN薄膜的形成机理进行了探讨。
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