聚硅烷导电性能及氧化掺杂

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介绍了聚硅烷导电材料的国内外研究进展 ,侧重阐述了聚硅烷的中性半导体行为及其独特的σ电子的离域性 ;并简单介绍了提高聚硅烷导电性能的不同掺杂手段 ,着重叙述了聚硅烷氧化掺杂导电的机理及影响其掺杂功效的几个重要因素 ,同时对该领域今后的发展方向作出展望 The research progress of polysilane conductive materials at home and abroad is introduced. The neutral semiconductor behavior of polysilane and its unique delocalization of σ-electrons are mainly described. Different doping methods to improve the conductivity of polysilane are introduced briefly. The mechanism of polysilane oxidation doping and several important factors affecting the doping efficiency are also discussed. At the same time, the future development of this field is also expected
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