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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，对V掺杂A1N的电子结构和铁磁性质进行了研究．结果表明，V掺杂后，由于V3d与N2p轨道杂化在半导体能隙中产生自旋极化杂质带，材料表现出半金属铁磁性，其磁矩主要来自以V原子为中心的VN4四面体．另外，通过对V掺杂AlN的铁磁稳定性的研究发现，V原子之间为铁磁耦合时体系处于稳定的基态，并且有围绕N原子形成团簇的趋势，随着V原子间距离的增加，体系FM和AFM态的能量将趋于简并．