用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunrainnet

【摘要】

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GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见.鉴于此,本文综述

【作者】

：

孟焘朱贤方王占国

【机构】

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厦门大学,中科院半导体研究所

【出处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2005年12期

【关键词】

：

GaN基量子点自组装 S-K模式 MOCVD GaN based quantum dots self-assembly S-K mode MOCVD

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GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见.鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点生长的实验条件和参数做了简要的分析.希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考.

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