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采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，以高纯Ｈ２稀释的ＳｉＨ４作为反应气体源，以ＰＨ３作为Ｐ原子的掺杂剂，在Ｐ型（１００）单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上，成功地生长了掺Ｐ的纳米硅膜（ｎｃ－Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ）膜。通过对膜层结构的Ｒａｍａｎ谱分析和高分辨率电子显微镜（ＨＲＥＭ）观测指出：与本征ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜相比，ｎｃ－Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ膜中的Ｓｉ微晶粒尺寸更小（～３ｎｍ），其排布更有秩序，呈现出类自组织生长的一些特点，膜层电