【摘 要】
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随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一.氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化
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随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一.氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化学稳定性.它作为一种新型的气体传感器材料近年来日益受到重视.本文研究了通过磁控溅射法制备氧化镓薄膜时,不同的热处理温度对氧化铱薄膜结晶质量的影响.并利用X射线衍射仪,紫外可见透射光谱,对氧化镓薄膜的结构性能及表面形貌进行了测试和分析.通过理论模拟分析,得出了以下结论:较高的热处理温度有助于薄膜的成核和生长,有利于薄膜的结晶和择优取向.薄膜的氧化更
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