窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiangguoliang
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本文对GaAs/AlGaAs量子阱结构激光器中重要 结构参数与远场垂直发射角的关系作了系统的理论计算与分析,提出了实现20°-30°垂直发散角的有效途径,并同时研究了对激光器的光功率限制因子,阈值电流密度等重要参数的影响。
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