【摘 要】
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提出了一种精确测量半导体激光器结温的方法.由于激光器的热容很小,因此采用脉冲注入的方法可以显著减小激光器的温升.研究了脉冲电流注入下激光器的激射波长随环境温度的变
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083
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提出了一种精确测量半导体激光器结温的方法.由于激光器的热容很小,因此采用脉冲注入的方法可以显著减小激光器的温升.研究了脉冲电流注入下激光器的激射波长随环境温度的变化规律,通过实验研究得到电流脉冲宽度和周期与激射波长的关系,理论分析得到的定量关系式与实验结果十分吻合.在此基础上得到了精确测量激光器结温的最佳脉冲参数,即脉宽为10 ns,脉冲周期为10μs.并且确定了激光器结温与激射波长的定量关系式,波长随温度的漂移系数为0.0728 nm/K.这种方法避免了电学测量法中的结电压波形过冲,测量精度明显优于后者,同时也可以方便地测量封装好的激光器组件的温度特性.
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