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采用水热法在FTO基板上制备TiO：纳米线阵列，在此基础上，通过水热法采用HCl对该薄膜进行原位划蚀。XRD结果表明刻蚀过程并未影响TiO2纳米线阵列薄膜的结晶性。SEM结果表明则蚀过程能有效降低纳米线之间的团聚程度，从而保证薄膜具有较大的比表面积。染料的吸附．脱附结果也表明，刻蚀后纳米线薄膜的染料负载能力提高了1倍，将制备的TiO2纳米线阵列薄膜作为染料敏化太阳电池的光阳极进行光电性能研究，发现使用经过刻蚀处理光阳极的太阳电池比采用未刻蚀处理的光阳极薄膜的电池光电转换效率提高了6倍。