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用热壁法在1050～1250℃的温度范围内,利用CH_3SiCl_3作原料,H_2作载气,Ar作稀释气体,在碳纤维上用化学气相沉积法(CVD)涂覆碳化硅涂层。在CH_3SiCl_3温度为19±3℃,H_2/CH_3SiCl_3为5:1,Ar的流量为2.67升/分的条件下得到均匀的碳化硅涂层。涂层的结构为β-SiC。H_2影响反应过程,从而影响产物的组成及结构。在沉积初期,涂层厚度与反应时间成正比。沉积反应的活化能为82kJ/mol。