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采用GaAs PHEMT工艺,研制了单片宽带低噪声放大器.着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T/R组件中应用的特殊要求,电路的工作原理与设计方法,以及ADS软件的仿真和优化;给出了主要技术指标和测试结果.最后,介绍了单片低噪声放大器在数字T/R组件中的应用.
单片低噪声放大器的设计及其在数字T／R组件中的应用
【摘 要】
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采用GaAs PHEMT工艺,研制了单片宽带低噪声放大器.着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T/R组件中应用的特殊要求,电路的工作原理与设计方法,以及ADS软件的仿真和优化
【机 构】
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中国科学技术大学,中国电子科技集团公司,中国科学技术大学
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2005年3期
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