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采用国产炭素墨水与少量硅微粉混合的液体充分浸渍聚丙烯腈（PAN）基碳毡并烘干后,在1450℃、真空条件下与硅微粉的气相产物发生碳热还原等反应,在碳毡内部制备出大量SiC纳米线.此纳米线多有弯曲形貌,其线径范围为25～150 nm,可测轴向线长达15μm以上.另有大量SiC的膜、纳米团絮、纳米颗粒等结构体存在.对烧结试样做了XRD、SEM、TEM的表征,初步研究了其组成结构、微观形貌及纳米线的生长机理.