用于VLSI的PECVD硼磷硅玻璃膜的制备工艺和特性分析

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硼磷硅玻璃膜(BPSG)是在等离子增强型化学汽相淀积(PECVD)系统中淀积的。在一个可容纳70个园片(片径100毫米)的淀积区内,膜厚度均匀性好于±5%、膜中掺杂量的变化低于±0.5%(重量)。具有保形台阶覆盖的淀积速率是200~300埃/分。本文概述了一种用离子色谱法来对掺杂物分析的新技术,也是作为用更通用的仪器进行快速无损分析的一种技术。最后,在本文中还表示了在各种掺杂浓度下低回流处理温度和回流角之函数关系。 Borophosphosilicate glass films (BPSG) are deposited in a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. The film thickness uniformity is better than ± 5% in a deposition zone that can hold 70 wafers (100 mm diameter) with a variation of less than ± 0.5% by weight in the film. The deposition rate with conformal step coverage is 200-300 angstroms / min. This article outlines a new technique for ion analysis of dopants and a technique for rapid, non-destructive analysis using more versatile instruments. Finally, the function of the low reflow temperature and the reflow angle at various doping concentrations is also presented in this paper.
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