【摘 要】
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为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延（GSMBE）技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs（100）衬底上生长GaA
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划资助项目（2014CB643902）, 国家自然科学基金关键资助项目（61334004）
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为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延（GSMBE）技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs（100）衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱（SIMS）及透射电镜X光谱（EDX）测试得出：GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH3压的升高而减小,在As2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源M
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