【摘 要】
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利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有关的浅热施主（ＳＴＤ）．在４５０℃退火条件下，ＳＴＤ浓度最大；６５０℃退火
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,浙江大学硅材料国家重点实验室
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利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有关的浅热施主（ＳＴＤ）．在４５０℃退火条件下，ＳＴＤ浓度最大；６５０℃退火后，部分ＳＴＤ消失；在９００℃高温下作较长时间退火，由于氧的浓度降低，ＳＴＤ完全消失
The thermal annealing behavior of light-heat donors in nitrogen-containing Si single crystals grown in a nitrogen atmosphere was studied by using photothermal ionization spectroscopy. The results show that there are N, O-dependent shallow thermal donors (STDs) in the primary samples grown under nitrogen atmosphere. At 450 ℃, the STD concentration reached the maximum. After annealing at 650 ℃, some STD disappeared. At 900 ℃ for a longer time, the STD disappeared completely due to the decrease of oxygen concentration
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