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本文通过对曝光、显影和蚀刻三个工艺流程对线路形成过程中的影响因素进行分析，并分别通过设计试验，得出酸性蚀刻工艺中线宽补偿、线间距和铜厚三者之间的设计原则，从而可指导厚铜细密线路的补偿方法.
酸性蚀刻中图形补偿的研究
【摘 要】
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本文通过对曝光、显影和蚀刻三个工艺流程对线路形成过程中的影响因素进行分析，并分别通过设计试验，得出酸性蚀刻工艺中线宽补偿、线间距和铜厚三者之间的设计原则，从而可指导厚铜细密线路的补偿方法.
【机 构】
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天津普林电路股份有限公司,天津 300308
【出 处】
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2015中日电子电路秋季大会暨秋季国际PCB技术/信息论坛
【发表日期】
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2015年6期
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