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面向SWCNT-FET制造的介电泳装配技术

来源 :东北大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：pipe55

【摘 要】

：

针对单壁碳纳米管（SWCNT）场效应晶体管（FET）制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现SWCNT在微电极上的有效装配.对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理

【作 者】

：

吴成东 许可 田孝军 董再励 

【机 构】

：

东北大学信息科学与工程学院,中国科学院沈阳自动化研究所机器人学国家重点实验室,中国科学院研究生院,沈阳建筑大学信息工程与控制学院

【出 处】

：

东北大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2011年8期

【关键词】

：

单壁碳纳米管 场效应晶体管 介电泳 COMSOL软件 原子力显微镜 纳电子器件 single-walled carbon nanotube  field-eff 

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针对单壁碳纳米管（SWCNT）场效应晶体管（FET）制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现SWCNT在微电极上的有效装配.对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理论分析,利用COMSOL多物理场耦合软件模拟了介电泳驱动电场,并做了大量装配实验,获得了高效装配SWCNT所需的实验参数.AFM扫描观测及电特性测试验证了这种方法的有效性,同时也为其他一维纳米材料纳电子器件的装配制造提供了借鉴.

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