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提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。借助场解析方法，首先划分该结构器件的工作区域，由边界连续条件，求解各区的泊松方程，建立部分埋氧结构VDMOS器件二维势分布的解析模型。分析结果表明，在漏端电压分别为100V和200V下，电势解析解与数值解误差分别小于3％和4．7％。VDMOS器件引入埋氧层能显著提高耐压，且部分埋氧层的长度对VDMOS器件的耐压影响大于埋氧层的宽度对耐压影响。