阴极射线辐照纯绿GaP发光二极管中深能级的研究

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【摘要】

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利用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了阴极射线辐照 GaP 纯绿发光二极管(LED)中的深能级,测量到两个激活能为0.45 eV、0.66 eV 的电子陷阱和一个激活能为0.33 eV 的空穴陷阱。证

【作者】

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苏锡安高瑛赵家龙刘学彦

【机构】

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中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室,中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室长春,130021,长春

【出处】

：

光电子技术

【发表日期】

：

1994年4期

【关键词】

：

发光二极管深能级阴极射线辐照磷化镓 cathode ray-irradiation deep-level transient spectrscopy

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利用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了阴极射线辐照 GaP 纯绿发光二极管(LED)中的深能级,测量到两个激活能为0.45 eV、0.66 eV 的电子陷阱和一个激活能为0.33 eV 的空穴陷阱。证实了0.66 eV 的电子陷阱和0.33 eV 的空穴陷阱与辐照引起的晶格缺陷有关,同时发现阴极射线辐照引起谱峰加宽。

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