【摘 要】
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目的通过Ho掺杂提高Ba(Zr0.1Ti0.9)O3(BZT)基Y5V型陶瓷的介电性能。方法采用Sol-gel一步法研究Ho掺杂对BZT基Y5V型纳米粉体及陶瓷微观形貌及介电性能的影响规律。结果当Ho含量为0.10 mol%时,陶瓷最大介电常数为19943,容温变化率(TCC)符合Y5V标准。结论随Ho含量的增加,BZT陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里峰展宽,最大介电常数先增大后减小。因此,通过匹配的元素对材料进行掺杂改性,同时辅以优化的
【机 构】
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宝鸡文理学院化学化工学院,西北大学化学与材料科学学院
【基金项目】
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陕西省自然科学基础研究计划项目(2021JQ-810),陕西省教育厅专项科研计划项目(19JK0035),陕西省横向课题(2021-KJHX001)。
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目的通过Ho掺杂提高Ba(Zr0.1Ti0.9)O3(BZT)基Y5V型陶瓷的介电性能。方法采用Sol-gel一步法研究Ho掺杂对BZT基Y5V型纳米粉体及陶瓷微观形貌及介电性能的影响规律。结果当Ho含量为0.10 mol%时,陶瓷最大介电常数为19943,容温变化率(TCC)符合Y5V标准。结论随Ho含量的增加,BZT陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里峰展宽,最大介电常数先增大后减小。因此,通过匹配的元素对材料进行掺杂改性,同时辅以优化的
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