【摘 要】
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ＣａＡｓｐ沟场效应异质结晶体管的动态模拟＝［刊，俄］／－１９９３．２２（２）．－９～１４集成电路速度的加快和功能的扩展，导致既必须缩小器件的线性尺寸又必须扩大所用器件和材料的频谱。在ＧａＡｓ结构中，没有可以隔离栅接触的自然氧化
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ＣａＡｓｐ沟场效应异质结晶体管的动态模拟＝［刊，俄］／－１９９３．２２（２）．－９～１４集成电路速度的加快和功能的扩展，导致既必须缩小器件的线性尺寸又必须扩大所用器件和材料的频谱。在ＧａＡｓ结构中，没有可以隔离栅接触的自然氧化物，因此。通常采用ＡｌＧ...
Dynamic Simulation of CaAsp Gap Field Effect Heterojunction Transistor = [Journal of Russian] / - 1993.22 (2). -9 ~ 14 IC speed and functionality expansion, resulting both to reduce the linear size of the device must also be used to expand the spectrum of the devices and materials used. In the GaAs structure, there is no natural oxide that can isolate the gate contact, thus. Usually using AlG ...
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