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采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术。在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下，在高于100℃低温下,以0．14nm／s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜．研究结果表明。衬底温度对薄膜晶化率、表面的粗糙度和沉积速率影响很大．当衬底温度高于100℃时，薄膜由非晶相向晶相转化．随着衬底温度升高，薄膜晶化率提高。沉积速率缓慢增加．当温度超过300℃时，薄膜的晶化率降低，薄膜表面的粗糙度增加，均匀性降低．