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利用热压烧结工艺制备了含20％～65％SiC（体积分数，下同1颗粒的SiCp／Cu复合材料。在室温到600℃温度范围内测定了复合材料的电阻率。结果表明，随着SiC颗粒含量的增加，SiCp／Cu复合材料的电阻率提高，电阻率渗滤阈值发生在SiCp含量大约55％时；含有20％～35％SiC颗粒的SiCp／Cu复合材料的电阻率随温度的升高而线性增加，表现为铜的电导特征：而含有50％～65％SiC颗粒的SiCp／Cu复合材料的电阻率随温度的升高在225～500℃温度范围内明显偏离线性增加关系。