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准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特性及稳定性有着重要影响。精确地测量...
准静态C—V测量中的工频噪声滤除新方法
【摘 要】
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准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管
【机 构】
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西安交通大学微电子工程系
【出 处】
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仪器仪表学报
【发表日期】
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1997年5期
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