研究人员开发出整合Ⅲ-Ⅴ族与矽材料的3DFinFET半导体

来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zmm520111
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据报道,比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ—Ⅴ族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS—RF与CMOS光电元件的化合物。
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