AlSiC肖特基垫垒二极管

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报道了用热蒸发A1作肖特基接触在SiC材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。采用射频溅射法在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。I-Ⅴ特性测量说明Al/SiC SBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理。反向击穿电压为22.5V,理想因子为1.19,肖特基势垒高度为1.48eV。
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