The memristive conductance studying of an Au/Ti_nO_(2n-1) memristor device based on oxygen vacancy d

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【摘要】

：

With the insight of memristor researsh growing continuously,many semiconductor material has been manufactured to various kinds of memristive device.Yet the stab

【作者】

：

邱云生

【机构】

：

济南大学

【出处】

：

科技视界

【发表日期】

：

2016年20期

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With the insight of memristor researsh growing continuously,many semiconductor material has been manufactured to various kinds of memristive device.Yet the stabilization of memristive performance haven’t been fulfilled,the fathom of memristive-acting mech

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